Samsung predstavlja 3D SSD V-NAND šeste generacije

Samsung Electronics, vodilni svetovni proizvajalec napredne pomnilniške tehnologije, je napovedal množično proizvodnjo 250 GB diska SSD SATA, ki temelji na 256-gigabitnem modulu V-NAND šeste generacije z več kot 100 plastmi 3-bitnih celic in bo dobavljen svetovnim proizvajalcem osebnih računalnikov. Samsung je za izdelavo svoje naslednje generacije V-NAND potreboval le 13 mesecev, s čimer je svoj proizvodni cikel skrajšal za štiri mesece, hkrati pa je izdelal najbolj učinkovite, energetsko varčne in za izdelavo enostavnejše module.

Samsungovi moduli V-NAND šeste generacije se ponašajo z najhitrejšimi hitrostmi prenosa podatkov v panogi, kar dokazuje prednost podjetja pri proizvodnji, ki 3D pomnilnik dviguje na višjo raven. Zaradi Samsungove edinstvene tehnologije jedkanja kanalov imajo novi kristali V-NAND približno 40 % več celic kot enojni pomnilniški moduli 9x prejšnje generacije. To dosežemo z oblikovanjem električno prevodne 136-slojne strukture, ki ji sledi navpično prebadanje cilindričnih lukenj od zgoraj navzdol, s čimer nastanejo homogene 3D celice s tehnologijo bliskavice s pastjo za naboj CTF .

Z večanjem višine senzorja v vsaki celici postajajo bliskovni čipi NAND bolj dovzetni za napake in zamude pri branju. Da bi premagal to omejitev, je Samsung izvedel zasnovo vezja, optimizirano za hitrost, da bi dosegel največje hitrosti prenosa podatkov, ki so manjše od 450 mikrosekund µs pri zapisovanju in manjše od 45 µs pri branju. Nova zasnova v primerjavi s prejšnjo generacijo zagotavlja za več kot 10 % večjo zmogljivost in za več kot 15 % manjšo porabo energije.

Optimizirana zasnova omogoča rešitvam V-NAND naslednje generacije več kot 300 slojev, ki združujejo tri celice šeste generacije, ne da bi pri tem ogrozili zmogljivost ali zanesljivost. Poleg tega novi čip 256 GB zahteva le 670 milijonov valovnih dolžin pasovne širine v primerjavi z 930 milijoni v prejšnji generaciji. To je omogočilo zmanjšanje velikosti čipa in števila proizvodnih korakov, kar je za 20 % izboljšalo učinkovitost proizvodnje.

Z uporabo hitrih funkcij z nizko porabo energije namerava Samsung razširiti uporabo svojih rešitev 3D V-NAND na naprave, kot so mobilni pripomočki in podjetniški strežniki, ter jih uvesti tudi na avtomobilski trg, kjer je ključnega pomena visoka zanesljivost.

“Z vključitvijo napredne 3D-pomnilniške tehnologije v modele za množično proizvodnjo lahko predstavimo pomnilniške linije, ki imajo bistveno večjo hitrost in porabo energije,” je dejal Kye Hyun Kyung, podpredsednik za bliskovni pomnilnik in tehnologijo pri družbi Samsung Electronics. – S skrajšanjem razvojnega cikla za izdelke V-NAND naslednje generacije nameravamo agresivno razširiti trg naših hitrih in visoko zmogljivih 512-gigabitnih rešitev V-NAND.

Po izdaji SSD s kapaciteto 250 GB namerava Samsung v drugi polovici leta predstaviti SSD s trojnim V-NAND in eUFS s kapaciteto 512 GB. Družba namerava od naslednjega leta v svoji tovarni v Pyeongtaeku v Koreji razširiti tudi proizvodnjo zmogljivih, hitrih rešitev V-NAND šeste generacije.